铌酸锂（LiNbO3）晶圆是我们的主力产品，SAW级、光学级都有供应，直径3"到8"，广泛用于SAW器件、光学器件和射频元件。晶体生长、切片、研磨、抛光到检测全部在自有产线完成，SAW级和光学级共用同一套原料标准，只是后段加工工艺不同。
铌酸锂或钽酸锂晶圆？
同为SAW级压电晶圆材料，铌酸锂和钽酸锂在带宽、频率和直径上各有侧重，按实际器件需求选型即可
铌酸锂 (LiNbO3) 晶圆 — 本页
机电耦合系数更高，带宽更宽，适合SAW滤波器、射频前端模块和光学调制器。直径最大支持8"，是三种材料里可供尺寸最大的铌酸锂晶圆产品线。
SAW级铌酸锂晶圆
SAW（声表面波）器件通过在压电晶圆上刻蚀叉指换能器实现滤波功能。晶圆平整度和晶格质量越好，滤波器的插入损耗越低、带外抑制能力越强。我们的SAW级铌酸锂晶圆抛光至S/D 20/10表面质量，平行度≤10角秒，晶向以Y41°、Y64°、Y128°等高频滤波器常用切型为主，也支持按客户目标频段定制切型。 声表面波滤波器与射频前端 应用用的就是这个等级的材料。
| 直径 | 3", 4", 6", 8" |
|---|---|
| 晶向 | X / Z / Y / Y41° / Y64° / Y128° |
| 厚度 | 0.18 / 0.25 / 0.35 / 0.50 / 1.00 mm |
| 厚度公差 | ±0.005 mm |
| TTV | ≤2 µm |
| 翘曲度 | ≤10 µm |
| 表面质量 | S/D 20/10 |
| 抛光 | 双面 |
| 平行度 | ≤10角秒 |
光学级铌酸锂晶圆
光学级铌酸锂不追求SAW级的表面公差，而是把光学均匀性（Δn≤5×10⁻⁵）和吸收损耗（633nm波长下<0.1%/cm）控制得更严格——这两项指标决定光在调制器或波导里传播得干不干净。晶向选择直接影响电光系数的利用效率，X切和Z切在实际器件中的电场施加方向不同，需要结合具体设计确认。 光通信与薄膜铌酸锂光子学 应用用的就是这个等级的材料。
| 材料 | 铌酸锂 |
|---|---|
| 直径 | 3", 4" |
| 晶向 | X切型 / Z切型 / Y切型 |
| 厚度 | 0.5 / 1.0 mm |
| 厚度公差 | ±0.01 mm |
| 光学均匀性 | Δn ≤ 5×10⁻⁵ |
| 光吸收 | < 0.1%/cm（波长为633nm时） |
| TTV | ≤2 µm |
| 表面质量 | S/D 20/10 |
| 抛光 | 双面 |
铌酸锂晶圆实拍细节
晶圆出货前的包装状态、边缘处理和抛光表面质感实拍，供采购前参考。
洁净室支架
晶圆检测前立于洁净室专用载具中，避免边缘接触和表面污染。
双片特写
直射光下可见双面抛光的镜面反光效果，边缘倒角均匀、无崩边。
铌酸锂晶棒
晶体贸易商、科研实验室，或者自己有切片抛光产线的制造商，有时候要的是原始铌酸锂晶棒而不是成品晶圆。我们供应研磨、粗抛光、精抛光三种表面状态的铌酸锂晶棒，直径覆盖3"到8"，晶棒表面光滑、无气泡裂纹，你可以从适合自己产能的阶段接手加工。不想投入切片抛光设备的话，把目标规格发给我们， 晶圆加工服务 能处理从切片到检测的全部流程，材料用你的也行，也可以用我们供应的铌酸锂原料代工。
| 直径 | 3", 4", 6", 8" |
|---|---|
| 晶向 | X切型 / Z切型 / Y切型 |
| 长度 | 50–120 mm |
| 直径公差 | ±0.5 mm |
| 一致性 | ±0.5 mm |
| 表面 | 研磨 / 粗抛光 / 精抛光 |
掺镁铌酸锂晶圆
标准铌酸锂晶圆在高光强下容易出现光折变损伤，折射率局部变化，器件性能会随时间变差。掺入氧化镁能大幅提高光学损伤阈值，这就是高功率激光系统和光折变应用普遍选MgO掺杂铌酸锂、而不用标准铌酸锂晶圆的原因。我们供应4.9%、5.0%、6.0%三档摩尔浓度的MgO掺杂铌酸锂晶圆，X切和Z切两种晶向，直径3"、4"可选，具体选哪档掺杂浓度取决于你的目标光功率密度和器件设计，可以联系我们的工艺团队帮你确定。
| 材料 | MgO掺杂铌酸锂 |
|---|---|
| 兴奋剂 | 4.9 mol% / 5.0 mol% / 6.0 mol% |
| 直径 | 3", 4" |
| 晶向 | X切型 / Z切型 |
| 厚度 | 0.5 / 1.0 mm |
| 厚度公差 | ±0.01 mm |
| TTV | ≤2 µm |
| 表面质量 | S/D 20/10 |
| 抛光 | 双面 |